El tercer paso consiste en la limpieza de las obleas con un riguroso proceso químico y ultrasónico. Este proceso elimina la suciedad, polvo y materia orgánica que haya podido depositarse en la superficie pulida. Cuanto más limpio sea el proceso, mejor será el resultado del LED obtenido.

Durante el cuarto paso, se crean capas adicionales de cristal semiconductor en la superficie de la oblea. Esta es una forma de añadir impurezas al cristal. A este proceso se le llama "doping". En esta ocasión las capas de cristal son creadas por un proceso llamado Liquid Phase Epitaxy (LPE). En esta técnica las capas semiconductoras que poseen la misma orientación que los substratos inferiores son depositadas en una oblea que está sumergida en un recipiente con material derretido. Este recipiente contiene los "dopantes" apropiados. La oblea se coloca sobre una base de grafito, la cual se empuja a través de un canal bajo el contenedor con el líquido derretido "melt". Se pueden añadir distintos dopantes "melts" secuenciados, o en el mismo "melt", creando capas de material con distintas densidades electrónicas. Las capas depositadas se convertirán en la continuación de la estructura cristalina de la oblea. LPE crea una capa de material excepcionalmente uniforme, lo que lo convierte en el proceso preferido.